下面能反映个人品德的行为是()。
学习者内部组织起来的、用以支配自己心智加工过程的技能属于()。
维果茨基的最近发展区是指()。
一位普通上海市民花上1000多元购票看足球赛。记者问他：“花这么多钱值不值得?”他说：“值得。”从行为的动机理论看，其行为宜用()理论解释。
“通过教学培养学生热爱劳动的精神。”这样陈述的目标是()。
加涅智慧技能层次论在理论上的主要贡献是()。
学生在参观访问或开展其他户外活动后写作文，尽管教师作了写作指导，可学生写出来的作文仍然像报流水账。这个现象的最适当解释是儿童缺乏()。
小学低年级儿童对事物好坏判断总是易受老师的影响。儿童行为的最适当解释是()。
下列有利于孩子养成良好学习习惯的父母教育方式是()。
小学生在英语课上学习“书”的英语单词“book”。按奥苏伯尔的学习分类，这里的学习属于()。
某3岁儿童事事要如他的意，稍不如意就大哭大闹，父母、爷爷、奶奶没有办法，只好依着他。导致该儿童的耍赖行为的最可能原因是()。
有位中学教师经常外出开会，但班级管理完全交给学生自己，纪律居然井然有序。这一教师的领导最可能属于()。
皮亚杰认为，儿童思维发展到一定逻辑抽象水平以后，这种思维形式适用于任何具体领域。从迁移的理论来看，这种观念与()接近。
有位历史老师教中学生记忆明朝迁都北京的历史年代，指导学生把1421记成“一事二益”。这种方法是()。
有些中学生在学习抽象概念和规则时，仍需具体经验支持，从认知发展阶段理论来看这是因为()。
如果教学目标是程序性知识，在有现成的文字教材条件下，对中学生而言，最适当的教学方法是()。
以下选项中描述了善于沟通的教师的是()。
产生式迁移理论证实了()。
下列思维特征中，大多数小学生尚不具备的特征是()。
“给予新习得的词语(如work hard，warm up等)，学生能造出合适的英语句子。”这样陈述的目标的学习结果类型是()。
下列适合用驱力说解释行为原因的例子是()。
“六步三段两分支教学过程模型”适合解释的学习类型是()。
原有知识越巩固，越易促进新的学习。()
下位学习是在原有学习观念的基础上增加新的学习观念。()
托勒密发现的入射角和折射角成比例是否正确？
望远镜是伽利略发明的？
威特洛将星星的闪烁解释为空气的运动，是否正确？
用透明度极好的石头点火，其中石头形状类似于凸透镜还是凹透镜？
折射定律是斯涅耳最早发现的。
笛卡尔用理论推导出折射定律。
微粒说可以解释光的反射、折射现象。
菲涅耳将惠更斯原理与杨氏干涉原理相结合，不仅解释直线传播，还可解释衍射现象。
麦克斯韦根据麦克斯韦方程预言了电磁波的存在。
光电效应、热辐射、光压体现了光的波动性。
光具有波动性和粒子性两重特性，称为波粒二象性。
麦克斯韦方程只有一个方程。
麦克斯韦方程的微分形式在真空中和介质中形式有所不同。
矢量有大小、没有方向。
矢量具有结合律。
梯度的散度是存在的。
梯度的旋度是存在的。
光波在各种介质中的传播过程是光与介质相互作用的过程。
物质方程是描述介质特性对电磁场影响的方程。
物质方程给出了媒质的电学和磁学性质，它们是光与物质相互作用时媒质中大量分子平均作用的结果。
在光学各向异性介质中，磁导率和介电常数是张量。
麦克斯韦方程的微分形式和积分形式是等价的。
麦克斯韦方程的微分形式和积分形式是可以相互推导出来的。
麦克斯韦方程的积分形式也是4个方程。
麦克斯韦方程1式代表电场的高斯定律：电场可以是有源场；电力线必须从正电荷出发终止于负电荷。
麦克斯韦方程2式代表磁通连续定律（磁场高斯定理）：磁场是无源场；通过闭合面的磁通量等于零，磁力线是闭合的。
麦克斯韦方程3式代表了法拉第电磁感应定律：变化磁场产生感应电场（涡旋场），其电力线是闭合的。
麦克斯韦方程3式代表了安培全电流定律：传导电流和位移电流都对磁场的产生有贡献。
波动方程可以由麦克斯韦方程推导出来。
波动方程描述了电磁场在空间中传播的规律。
根据波动方程可以推算电磁波速度。
线偏振、圆偏振都属于是特殊的椭圆偏振。
光的偏振状态可以由一个椭圆方程来描述。
圆偏振光分为左旋和右旋两种状态。
光的入射角等于反射角。
光的折射角一定等于光的入射角。
光的折射定律描述了光的入射角和折射角之间的定量关系。
用惠更斯-菲涅耳原理，可以解释光的干涉和衍射现象。
光的衍射现象可以看作是多个光的干涉。
光的衍射和干涉体现了光的波动性。
托勒密发现的入射角和折射角成比例是否正确？
威特洛将星星的闪烁解释为空气的运动，是否正确？
折射定律是斯涅耳最早发现的。
笛卡尔用理论推导出折射定律。
菲涅耳将惠更斯原理与杨氏干涉原理相结合，不仅解释直线传播，还可解释衍射现象。
光电效应、热辐射、光压体现了光的波动性。
麦克斯韦方程只有一个方程。
麦克斯韦方程的微分形式在真空中和介质中形式有所不同。
光波在各种介质中的传播过程是光与介质相互作用的过程。
物质方程给出了媒质的电学和磁学性质，它们是光与物质相互作用时媒质中大量分子平均作用的结果。
在光学各向异性介质中，磁导率和介电常数是张量。
麦克斯韦方程的微分形式和积分形式是可以相互推导出来的。
波动方程可以由麦克斯韦方程推导出来。
波动方程描述了电磁场在空间中传播的规律。
根据波动方程可以推算电磁波速度。
线偏振、圆偏振都属于是特殊的椭圆偏振。
光的偏振状态可以由一个椭圆方程来描述。
圆偏振光分为左旋和右旋两种状态。
光的入射角等于反射角。
光的折射角一定等于光的入射角。
光的折射定律描述了光的入射角和折射角之间的定量关系。
用惠更斯-菲涅耳原理，可以解释光的干涉和衍射现象。
光的衍射现象可以看作是多个光的干涉。
光的衍射和干涉体现了光的波动性。
the product g(e)f(e) is not the number of electrons per unit energy per unit volume or electron concentration per unit energy.
the interactions between the si atoms and their valence electrons result in the electron energy in the crystal falling into two distinct energy bands called the valence band (vb) and conductions band (cb).
the width of the cb is called the electron affinity χ.
eg=ev-ec
when a photon breaks a si-si bond, a free electron and a hole in the si-si bond is created. the result is the photogeneration of an electron and a hole pair (ehp)
vde = drift velocity of the electrons
me = electron drift mobility
ex = applied electric field
s = conductivity
n = electron concentration in the cb
the most useless property of ef is in terms of a change in ef.
the fifth valence electron can be readily freed by thermal vibrations of the si lattice.
the as ions remain immobile. because the as atom donates an electron into the cb, it is called a donor impurity.
there are donor energy levels just below ec around as sites.
nd >> ni, then at room temperature, the electron concentration in the cb will nearly be equal to nd, i.e. n ≈ nd
the conductivity of a semiconductor depends on both electrons and holes as both contribute to charge transport.
at room temperature the thermal vibrations of the lattice can free the hole away from the b- site.
for the atom with a hole, a nearby electron can tunnel into this hole and displace the hole further away from the b atom.
na >> ni, then at room temperature, the hole concentration in the vb will nearly be equal to na, i.e. p ≈ na
in a degenerate semiconductor, one cannot assume that n=nd or p=na, as the dopant concentration is so large that they interact with each other. not all dopants are able to become ionized. the saturation is typically around 1020 cm-3.
the whole energy diagram tilts because the electron has an electrostatic potential energy.
in the energy range ev to ec there are no states.
potential energy is charge* potential = q v
wo = wn wp is the total width of the depletion region under a zero applied voltage
the electric field becomes larger due to the reverse bias. to accommodate this larger field, the widths of the depletion region on the p and n side widen to expose more ionized dopants.
the current under revserse bias comes from diffusion current in neutral regions and thermal generated current in depletion region.
in a ge pn junction, above 238 k, irev is controlled by ni2 and below 238 k it is controlled by ni.
the increase dv results in an increase di in the diode current. the dynamic or incremental resistance is rd = dv/di.
the recombination current is more than an order of magnitude greater than the diffusion current under lower bias.
the ehp recombination that occurs in the scl and the neutral regions in this gaas pn junction case would result in photon emission, with a photon energy that is approximately eg. this direct recombination of injected minority carriers and the resulting emission of photons represent the principle of operation of the light emitting diode (led).
an electron in the n-side at ec must overcome a potential energy (pe) barrier to go over to ec in the p-side. this pe barrier is evo where vo is the built-in potential, i.e., the maximum extent ec has been bent to line up the fermi levels.
when the pn junction is forward biased, the majority of the applied voltage drops across the depletion region so that the applied voltage is in opposition to the built-in potential, vo.
recombination around the junction and within the diffusion length of the electrons in the p-side leads to spontaneous photon emission.
a spread in the output wavelengths is related to a spread in the emitted photon energies.
a qw structure has the energy levels in the wells.
the electrons at a particular energy level also have kinetic energies in the yz plane, which is not quantized.
the electrons are therefore spread in energy above en.
an rcled is an led with an optical resonant cavity (rc) formed by two dbrs has a narrower emission spectrum.
power conversion efficiency (pce) is the efficiency of conversion from the input of electrical power to the output of optical power
light could be coupled from a surface emitting led into a multimode fiber using an index matching epoxy.
photoluminescence is the emission of light by a material, called a phosphor.
many phosphors are based on activators doped into a host matrix.
the interactions between the si atoms and their valence electrons result in the electron energy in the crystal falling into two distinct energy bands called the valence band (vb) and conductions band (cb).
the width of the cb is called the electron affinity χ.
eg=ev-ec
vdh = drift velocity of the holes
the area under pe(e) versus e is not the hole concentration.
the most useless property of ef is in terms of a change in ef.
the fifth valence electron can be readily freed by thermal vibrations of the si lattice.
nd << ni, then at room temperature, the electron concentration in the cb will nearly be equal to nd, i.e. n ≈ nd
the conductivity of a semiconductor depends on both electrons and holes as both contribute to charge transport.
there are acceptor energy levels just above ev around b- sites. these acceptor levels accept electrons from the vb and therefore create holes in the vb.
at room temperature the thermal vibrations of the lattice can free the hole away from the b- site.
na << ni, then at room temperature, the hole concentration in the vb will nearly be equal to na, i.e. p ≈ na
n a degenerate semiconductor, one cannot assume that n=nd or p=na, as the dopant concentration is so large that they interact with each other. not all dopants are able to become ionized. the saturation is typically around 1020 cm-3.
wo = wn wp is the total width of the depletion region under a zero applied voltage
in a ge pn junction, above 238 k, irev is controlled by ni2 and below 238 k it is controlled by ni.
the increase dv results in an increase di in the diode current. the dynamic or incremental resistance is rd = dv/di.
the ehp recombination that occurs in the scl and the neutral regions in this gaas pn junction case would result in photon emission, with a photon energy that is approximately eg. this direct recombination of injected minority carriers and the resulting emission of photons represent the principle of operation of the light emitting diode (led).
after the formation of the pn junction, there is a built-in voltage across the junction.
an electron in the n-side at ec must overcome a potential energy (pe) barrier to go over to ec in the p-side. this pe barrier is evo where vo is the built-in potential, i.e., the maximum extent ec has been bent to line up the fermi levels.
if ef is close to the conduction band (cb) edge, ec, it results in an n-type, and if it is close to the valence band (vb) edge, ev, it results in a p-type semiconductor.
recombination around the junction and within the diffusion length of the electrons in the p-side leads to spontaneous photon emission.
the electrons at a particular energy level also have kinetic energies in the yz plane, which is not quantized.
an rcled is an led with an optical resonant cavity (rc) formed by two dbrs has a narrower emission spectrum.
light could not be coupled from a surface emitting led into a multimode fiber using an index matching epoxy.
many phosphors are based on activators doped into a host matrix.
in mqw, most of the light is in the active region.
at sufficiently high diode currents corresponding to high optical power, the operation becomes single mode.
power conversion efficiency=optical output power / electric input power
when the laser is in a steady state, rate of coherent photon loss in the cavity= rate of stimulated emissions
when the laser is in a steady state, rate of coherent photon loss in the cavity= rate of stimulated emissions
partially reflected waves at the corrugations can only constitute a reflected wave when the wavelength satisfies the bragg condition.
the mode field diameter is normally larger than the active layer thickness and the radiation spreads into the guiding layer.
the cavity in vertical cavity surface emitting lasers is vertical.
the cross section of vertical cavity surface emitting lasers is circular.
as the states at e2 are long-lived, they quickly become populated and there is a population inversion between e2 and e1.
in led, most of the light is in the active region.
at sufficiently high diode currents corresponding to high optical power, the operation becomes single mode.
power conversion efficiency=optical output power / electric input power
when the laser is in a steady state, rate of coherent photon loss in the cavity= rate of stimulated emissions
rate of electron injection by current i = rate of spontaneous emissions - rate of stimulated emissions
partially reflected waves at the corrugations can only constitute a reflected wave when the wavelength satisfies the bragg condition.
the mode field diameter is normally larger than the active layer thickness and the radiation spreads into the guiding layer.
the cavity in vertical cavity surface emitting lasers is not vertical.
the cross section of vertical cavity surface emitting lasers is circular.
an open circuit pn junction under illumination generates an open circuit voltage voc.
d = 1/a = penetration or absorption depth
an open circuit pn junction under illumination generates an open circuit voltage voc.
the electron is not acted on by the force ee of the electric field.
d = l/a = penetration or absorption depth
the product g(e)f(e) is the number of electrons per unit energy per unit volume or electron concentration per unit energy.
mh = drift velocity of the holes
ec = fermi energy, ef = conduction band edge
potential energy is charge* potential = q v
ruby laser is a ( ).
for two energy levels where e1
which is a heterojunction ( ).
an electromagnetic wave can be described by 's equations.
photodector is a device which transfers signals to electric signals.
在word中把彩色图片改成灰度图片应选择“设置图片格式”对话框中的()
如果在powerpoint中选择了某种设计模板则幻灯片原来的背景()
在powerpoint 2010幻灯片中同时移动多个对象时()
若要在幻灯片中插入垂直文本应选择()
若要对文档的行距设置为20磅，应当选择“段落”对话框中“行距”列表框中的()
word中的“清除格式”按钮所在的选项卡是()
要设置幻灯片中对象的动画效果和动画的出现方式应使用的选项卡是()
为使powerpoint中幻灯片能够按照预设时间自动连续播放应该设置()
在word的编辑状态中为文档设置页码时首先应该用鼠标单击()
在excel 2010中为了取消分类汇总的操作必须()
powerpoint中的“插入”选项卡下的工具命令中不包括()
若要在excel工作表的某一单元格中输入计算公式2008-4-5，则正确的输入为()
放映当前幻灯片的快捷键是()
powerpoint 2010的“开始”选项卡下的工具命令不包括()
对于打开了多个word文档的情况下可退出word的操作是()
如果excel某单元格的地址为d25，则该地址的类型属于()
在word的编辑状态可以同时显示水平标尺和垂直标尺的视图方式是()
当前活动窗口是文档dl.docx的窗口，单击窗口的“最小化”按钮后()
excel 2010中被选定的单元格区域自动带有()
图示2-9为换路后的一阶电路，电路的时间常数t=()。
图示电路中，电流i=()。
图2-7所示电路中，电流i=()。
图示无源单口网络电路中，ab间等效电阻rab=()。
电力系统进行功率因数补偿的目的是()。
图所示电路中，电流i=()。
r，c电路在零输入条件下，时间常数的意义是()。
用有效值相量来表示正弦电压u=380sin(314t-90°)v时可写作=()。
图所示回路中，电压u1=-5v，u2=2v，u3=-3v，则u4=()。
图示正弦稳态单口网络，z=5∠-30°ω，则图中元件1，2应为()。
有一单相变压器的变比k=4，当副边外接阻抗为8ω时，折算到原边的等效阻抗z为()。
图2-2所示电路中，u1=400sinωtv，u2=-300sinωtv，则u=()。
一个复数的极坐标是10∠-60°，则它的代数式是()。
图所示结点，电流i1=-3a，i2=5a，i3=-4a，则i4=()。
图2-2所示无源单口网络电路中，ab间等效电阻rab=()。
图示动态电路中，开关在t=0时由a打向b，t>0后，电路的时间常数t=()。
处于谐振状态的r，l，c串联电路若增大c值，则电路将呈现()。
图示电路当开关s在位置“1”时，已达到稳定状态。在t=0时刻将开关s瞬间合到位置“2”，则在t>0后电流
下列不属于集成运算放大器单元电路的是？
下列不属于集成运算放大器的电压传输特性特点的是
为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用何种耦合方式？
为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用何种耦合方式？
若两个放大电路的空载放大倍数分别为20和30，则将它们级连成两级放大电路，则其放大倍数为
在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ；而前级的输出电阻则也可视为后级的 。
在三级放大电路中，已知|au1|=50，|au2|=80，|au3|=25，则其总电压放大倍数|au|= ，折合为 db。
直接耦合放大电路各级的静态工作点互相影响，这是构成直接耦合多级放大电路时必须解决的问题。
乒乓球运动起源于哪个
乒乓球运动是由哪项运动演变而来
哪项运动是乒乓球运动的前身？
发明海绵拍的是
世界乒乓球运动经历的第一个阶段是
队发明的打法是
队在世界乒乓球舞台上的两项创新性打法包括
第一个乒乓球大满贯运动员是
第一位国际乒联是
第一位世界冠军是
乒乓球运动对身心健康的锻炼价值包括
乒乓外交直接或间接地促成了建交
乒乓球运动由于是隔网项目，没有（）对抗，所以是比较安全的运动
乒乓球运动起源于哪个？
哪项运动是乒乓球运动的前身？
参加第一次国际乒联会议的亚洲是？
乒乓球正式进入奥运会乒乓球比赛的时间是？
崛起世界乒坛依靠的打法是？
第一届国际乒联会议参加的有？
汉城奥运会上，乒乓球运动员获得的冠军是？
2020年东京奥运会增设了混双项目
乒乓球运动对灵敏素质要求不高
乒乓球运动没有（），所以是相对安全的运动。
适宜的乒乓球场地地面应为
乒乓球场地照明的光度最好采用自然光照明
乒乓球场地的挡板与球台的高度一致
现代的乒乓球拍有底板、海绵和（）组成
初学者首选的球拍胶皮为（）
乒乓球的标准器材配置包括球板、海绵和（）
不同的打法对应不同的站位，弧圈球打法距离球台为
短球为第二跳不出台的球
要想增加球的撞击力量，应尽可能让力量通过（）
哪种胶皮制造旋转能力最强
乒乓球运动击球的环节包括
乒乓球击球五要素包括速度、力量、旋转、落点和（）
想提高击球命中率，就要制造合适的（）
（）是乒乓球技术体系中的重要特点和制胜法宝
乒乓球球台长度为
初学者建议选择的球拍胶皮为
乒乓球的质量评价等级标准最高为
近台站位通常指的是距离球台
下列哪项不是提高击球旋转的因素
乒乓球运动的击球环节包括
提高乒乓球击球落点变化的方法有
想提高乒乓球技术主要练习手法就行了
要想提高击球命中率需要制造合适的击球弧线
乒乓球拍海绵的作用主要是提高击球速度和（）
横握球拍的拍柄长于直握球拍的拍柄
直拍握法中指、无名指和小拇指三个手指抵住球拍背面的作用是稳定球拍
乒乓球的握拍法分为直拍握拍法和（）握拍法
乒乓球身体上的准备动作包括
乒乓球的准备动作既包括身体上的准备也包括心理上的准备
乒乓球准备动作中身体的准备要强于心理的准备
两人传球练习时的拍型角度为
在进行乒乓球的球感练习时，不必按照握拍法进行练习
做乒乓球的颠球练习时，颠球高度在颠球者的头上位置
做双人传球练习时，两人尽可能要靠近球台，方便接球
右手持拍平击发球的站位为
右手持拍平击发球时两脚的站位是
平击发球时，持拍手要稍高于持球手
平击发球时，持拍手的拍型要稍前倾
平击发球的规则是：先落在本方球台，再反弹到（）
直拍推挡主要用力的部位是
横拍拨球动作主要发力部位是
直拍的反手是拨球，横拍的反手是推挡
横拍拨球引拍动作时手腕要适当外旋
直拍推挡时，大拇指要放松，（）稍用力压拍
正手攻球击球点在
正手攻球的主要发力部位是
乒乓球的正手重要性是因为正手进攻能力强
乒乓球的正手攻球既包括体侧动作也包括体前动作
直拍正手攻球时大拇指压拍，（）要放松
下列哪项不是横握球拍的优势
直握球拍推挡动作哪个手指应用力压拍
乒乓球击球前要有？
平击发球时球拍应触球
右手握拍正手攻球时击球点在
直拍推挡击球弧线过高的原因包括
乒乓球的准备动作要领包括
做颠球练习时发力的部位是手腕
做正手攻球练习时应视对方回球再决定是否需要还原动作
横拍反手拨球时前臂和手腕动作应向
乒乓球的步法移动时重心应该放在后脚跟上
单步移动时要求两脚要同时启动
直拍左推右攻需要运用的步法是
并步又叫侧滑步
侧滑步主要应用于左右两侧的来球
跨步应用于下列哪些来球
跨步的准备动作是两脚左右开立
交叉步上步脚的脚尖方向为
交叉步也是应用于角度较大的来球
交叉步多应用于侧身位正手击球后补正手位大角度来球
交叉步的脚掌落地与击球是同时完成的
单步移动正确的表述是
关于并步（侧滑步）表述错误的是
下列哪种步法可以利用身体转体力量进行击球
球台左右两端来球应该运用哪种步法
距离身体较近的来球应该运用哪种步法
跨步应用于哪些来球
哪些步法应用于主动击球
进行单步移动时不需要重心随之移动
运用交叉步进行侧身位扑正手位攻球时，落地的同时即挥拍击球
乒乓球实战当中应用最多的步法是（）
正手半台跑位练习时运用的步法是
正手半台跑位练习时手法与步法是可以同时进行的
直拍左推右攻是日本的传统乒乓球打法
直拍左推右攻时需要拇指与食指的转换
横拍的正反手跑位又叫做两面攻
左推右攻技术是（）握拍法的一项组合技术
右手握拍反手接侧身位攻球时，两脚的位置是
反手接侧身攻的目的是为了更多地运用正手完成进攻
反手接侧身攻球时反手击球要尽可能快速，以便为正手侧身留出时间
反手接侧身攻后扑正手包括的技术有
侧身攻球后扑正手的步法是侧滑步
练习者要进行全台不定点练习时，首先要做好
一点对全台不定点是最接近于实战的技术练习
一点对不同点练习时要想形成连贯击球还原动作很重要
一点对不同点练习是一项有规律的击球落点练习
半台跑位练习通常是以球台的____为练习范围
右手握拍反手接侧身攻球时，右脚位置应该在球台左边角的
反手接侧身攻球后扑正手时，手法与步法的配合应为
进行一点对全台不同落点练习时，首先需要先
练习乒乓球的结合技术，通常陪练者打练习者球台的两点或三点位置，练习者需要回球到陪练者的__
下列哪些技术属于乒乓球的结合技术
直拍左推右攻技术的包括的击球环节有
直拍左推右攻技术运用时，反手推挡后应先打正手攻球，再进行步法移动
直拍进行左推右攻练习时，推挡与正手攻球需要进行大拇指与食指的转换
乒乓球的结合技术主要是手法和（）的结合
下旋发球时引拍的拍型为
上旋发球时，球拍要摩擦球的
右手握拍选择侧身位旋转发球的目的是：为了方便下一回合的正手进攻
要想把球发的转，需要更多的去撞击球
搓球主要应用于对方来球的哪一种旋转
搓球要摩擦球的什么部位
搓球引拍的角度为前倾拍型
弧圈球了乒乓球的击球要素包括
弧圈球按照类别分为加转弧圈球和前冲弧圈球
前冲弧圈球摩擦更多、撞击较少
高吊弧圈球比前冲弧圈球会制造更多的旋转
直拍横打主要的发力部位包括
直拍横打比直拍推挡的进攻能力更强
直拍横打进攻能力更优于横拍反手进攻
削球打法的选手通常采用两面同样性能的胶皮
削球技术动作通常大于搓球技术动作
削球打法回球的旋转是
下列哪项不是发加转下旋球的要素
搓球时，正确的拍型为
削球打法，通常距离球台
下列哪项不属于旋转发球
弧圈球打法适合的胶皮为
弧圈球具备的特征包括
要想发不转球（弱旋转），就要做到
同等力量下，弧圈球的速度比攻球快
搓球技术是最基本的实战接发球技术
直拍横打技术主要解决直拍反手位的（）
左右调动战术针对左右手不同握拍有不同的线路
调右压左战术是：针对右手握拍的对手通过调动其正手位大角度球后快速变线到其反手位
发球抢攻战术哪国运动员较为擅长的战术
发球抢攻战术包含的技术有
发球抢攻战术只能发上旋球来进行抢攻
对手接发球弧线较高、旋转较弱的时候，应该用加转弧圈球进行抢攻
搓攻战术包含的技术有
搓攻战术的意图是在相互搓球控制中寻找抢攻或进攻的机会
拉攻战术主要针对于哪种打法
拉攻战术包含的技术有
一般拉攻战术运用技术顺序为先攻球后拉球
削中反攻战术属于哪种打法类别
削中反攻运动员可以在削球中通过什么变化获得反攻机会
削中反攻战术是防守型打法对付（）打法的有效手段
调右压左战术针对的是
拉攻战术主要针对于哪种打法
削中反攻战术中的削球是一种
调右压左战术要求回球具有一定的
发球抢攻战术中要想发球后用攻球来进行抢攻，需要发什么旋转的球
发球抢攻战术中变化多、旋转强的发球会为抢攻创造更多的机会
拉攻战术包括搓球、拉弧圈球和攻球
乒乓球的基本战术是建立在（）基础之上的。
发球抢攻战术中，对方搓球到我方正手位，我方应该采用（）进行抢攻
搓攻战术是在双方互相搓球中寻找（）的战术
乒乓球双打规则要求发球员必须在右半区将球发到对方
乒乓球的双打项目包括
乒乓球双打规则允许每名运动员可以连续击球多次
乒乓球双打运动员要不断在跑动中轮换击球
快攻型打法和弧圈型打法配对双打时的站位应为
乒乓球双打中前后站位的两名运动员组合是
常见的乒乓球双打走位有
乒乓球双打左右站位运动员通常都是进攻型打法
下列哪项战术是双打中的常见战术
乒乓球双打练习方法有
通常双打的接发球方比发球方更有利
乒乓球双打规则要求发球员必须在右半区将球发到对方
进攻型打法和防守型打法配对双打时的站位应为
乒乓球的双打项目包括
常见的乒乓球双打走位有
乒乓球双打规则允许每名运动员可以连续击球2次
乒乓球双打运动员要不断在跑动中轮换击球
乒乓球双打左右站位运动员通常都是进攻型打法
通常双打的发球方比接发球方更有利
打追身球是双打中的常见战术
乒乓球双打规则要求每名运动员轮换击球（）次
乒乓球运动量小，没必要进行身体素质训练
速度素质练习应安排在整个练习部分的
速度素质练习应与哪两项素质练习相结合
（）素质是乒乓球项目的典型特点
乒乓球运动量较小，不需要练习耐力素质
韧性越好的人，在打乒乓球时动作越舒展和（）
乒乓球力量训练的重点包括上肢力量、下肢力量以及
灵敏素质每个单元的练习时间为
乒乓球的速度素质按照运动表现分为
乒乓球运动对哪几项素质要求较高
力量训练安排的时间可以在专项训练前进行
灵敏素质的每个单元练习时间以1分钟为宜
乒乓球运动是以有氧供能为主的项目
柔韧素质较好的人能够减少乒乓球运动的受伤几率
（）素质对速度素质起到关键作用
柔韧性越好的人，在打乒乓球时动作越舒展和（）
正式乒乓球比赛中是不可以进行换手击球的
对方发球连续2次擦网，判本方得1分
对方从大角度击球后绕过球网回到本方球台的击球应判为对方失分
乒乓球比赛中，抽签中签者选择了发球，另一方必须要（），同时可以选择方位。
在每一局比赛中，双方各有一次不超过一分钟的暂停时间
下列哪一项不是合法发球
下列不属于循环赛优点的是
下列哪种情况判本方得分
应该判定为重发球的情况是
乒乓球竞赛规则要求只能用球拍击球
裁判员在双打比赛中发现有一方运动员击球次序错误，该回合判定为重发球
发球时，可以将球拍放到台面以下
乒乓球比赛在任何情况下，发现错误之前的所有得分均有效
接发球员指的是在一个回合中，第（）个击球的运动员
乒乓球比赛进行到10平后，每人发球（）分交替轮换，直至比赛结束
乒乓球灵敏素质每个单元的练习时间为
乒乓球双打规则要求发球员必须在右半区将球发到对方
进攻型打法和防守型打法配对双打时的站位应为
拉攻战术主要针对于哪种打法
弧圈球打法适合的胶皮为
球台左右两端来球应该运用哪种步法
直拍推挡动作中哪个手指应用力压拍
初学者建议选择的球拍胶皮为
哪项运动是乒乓球运动的前身？
下列不属于循环赛优点的是
乒乓球的速度素质按照运动表现分为
要想发出旋转强烈的下旋球，就要做到
哪些步法应用于主动击球
乒乓球运动的击球环节包括
应该判定为重发球的情况是
乒乓球运动是以有氧供能为主的项目
柔韧素质较好的人能够减少乒乓球运动的受伤几率
乒乓球双打规则允许每名运动员可以击球多次
通常双打的接发球方比发球方更有利
发球抢攻战术中运用变化多、旋转强的发球会为抢攻创造更多的机会
同等力量下，弧圈球的速度比攻球快
直拍左推右攻技术运用时，反手推挡后应先打正手攻球，再进行步法移动
正手攻球时应视对方回球上台后再做还原动作
崛起世界乒坛依靠的打法是弧圈球打法
发球时，可以将持球手下沉到台面以下
乒乓球双打规则要求每名运动员轮换击球（）次
乒乓球的基本战术是建立在（）基础之上的。
乒乓球的结合技术主要是手法和（）的结合
乒乓球拍海绵的作用主要是提高击球速度和（）
乒乓球运动没有（），所以是相对安全的运动
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